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| GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王立彬; 王良臣
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| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王立彬; 伊晓燕 ; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣
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| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳
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| P型氮化镓电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕
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| GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 郭金霞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘志强; 王良臣; 于丽娟; 郭金霞; 伊晓燕; 王立彬; 陈宇; 马龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭德博; 梁萌; 范曼宁; 刘志强; 王良臣; 王国宏
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