|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| ZnO 材料 MOCVD 生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 桑玲
 Adobe PDF(3574Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1074/53 | 提交时间：2013/06/20 |
| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(288Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1517/250 | 提交时间：2012/09/09 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
Adobe PDF(391Kb) | 收藏 | 浏览/下载：901/98 | 提交时间：2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(822Kb) | 收藏 | 浏览/下载：852/85 | 提交时间：2014/10/29 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(1880Kb) | 收藏 | 浏览/下载：760/33 | 提交时间：2014/10/28 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人: 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(376Kb) | 收藏 | 浏览/下载：854/105 | 提交时间：2014/10/24 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
Adobe PDF(934Kb) | 收藏 | 浏览/下载：622/97 | 提交时间：2014/10/31 |
