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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘伟; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然 ; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 阚强; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
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| 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 樊晶美; 王良臣; 刘志强
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| 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235859.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 刘云飞; 解婧; 杨富华
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| 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235870.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 解婧; 刘云飞; 杨富华
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| 一种超高真空多功能综合测试系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171385.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 刘云飞; 解婧; 杨富华
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
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| 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102433529A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 刘雯; 王晓东; 程凯芳; 马慧丽; 王晓峰; 徐锐; 杨富华
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