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| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强 ; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
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| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 减少激光剥离损伤的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 王良臣; 刘志强; 季安; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰
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| 一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| MOCVD设备的石墨托盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽
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| 插入匀化电流结构的发光器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 郭恩卿; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 王军喜; 李晋闽
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