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高效有机太阳能电池制备及器件物理研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  李其聪
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘俊岐;  翟慎强;  孔宁;  李路;  刘峰奇;  王利军;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王彩凤;  李清山;  胡波;  梁德春
Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:884/226  |  提交时间:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王彩凤;  李清山;  胡波;  梁德春
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光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐光华;  徐波;  叶小玲;  金鹏;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  姜立稳;  孔金霞;  孔宁
Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1564/255  |  提交时间:2011/08/31
掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910092876.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  陆全勇;  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  刘峰奇;  王占国
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对二氧化硫气体进行检测的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910083496.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘万峰;  王利军;  刘峰奇;  王占国
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1239/206  |  提交时间:2011/08/31
带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175432.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  尹雯;  陆全勇;  张伟;  刘峰奇;  张全德;  刘万峰;  江宇超;  李路;  刘俊岐;  王利军;  王占国
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