斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法
陆全勇; 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法,其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器,包括:一InP衬底;一InP波导限制层制作在InP衬底上;一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上;一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上;一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上;一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中;一InP盖层制作在InGaAs上波导层上;一接触层制作在盖层上,形成二次外延片;在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道,形成斜形脊状波导,该V形双沟道的深度到达限制层内;一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面,接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口;一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面;一金属金层制作在正面电极上,且填满两个V形双沟道;一合金电极制作在InP衬底的背面。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910092876.2
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910092876.2
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22257
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
陆全勇,张伟,王利军,等. 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法. CN200910092876.2.
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