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Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices 期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 37-40
Authors:  Liu Wanglai;  Xu Bo;  Liang Ping;  Hu Ying;  Sun Hong;  Lü Xueqin;  Wang Zhanguo
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UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
Authors:  周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
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以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1998-2002
Authors:  林郭强;  曾一平;  王晓亮;  刘宏新
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高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 592-596
Authors:  刘宗顺;  赵德刚;  朱建军;  张书明;  段俐宏;  王海;  史永生;  刘文宝;  张爽;  江德生;  杨辉
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紫外光直写杂化溶胶-凝胶SiO_2光波导器件 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 1130-1133
Authors:  王玥;  吴远大;  李建光;  安俊明;  王红杰;  尹小杰;  张家顺;  胡雄伟
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表面处理对p-GaN欧姆接触的影响 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 1811-1814
Authors:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  师宏伟;  刘志强;  王国宏;  王良臣
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高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1640-1644
Authors:  杜伟;  许兴胜;  韩伟华;  王春霞;  张杨;  杨富华;  陈弘达
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利用光子晶体提高InP基LED出光效率 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 921-925
Authors:  杜伟;  许兴胜;  孙增辉;  鲁琳;  高俊华;  赵致民;  王春霞;  陈弘达
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不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 1012-1015
Authors:  张冠杰;  徐波;  陈涌海;  姚江宏;  林耀望;  舒永春;  皮彪;  邢晓东;  刘如彬;  舒强;  王占国;  许京军
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紫外写入技术制备光波导器件研究 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 744-746
Authors:  吴远大;  夏君磊;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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