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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  佟存柱;  牛智川;  韩勤;  杜云;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang SS (Huang Shesong);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Fang ZD (Fang Zhidan);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  Gong Z (Gong Zheng);  Xia JB (Xia Jianbai);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zcniu@semi.ac.cn;  fangzhidan@bjut.edu.cn;  zhenggong@strath.ac.uk
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Corrugated surfaces formed on GaAs (331)a substrates: The template for laterally ordered InGaAs nanowires 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Miao, ZH (Miao, Zhenhua);  Gong, Z (Gong, Zheng);  Fang, ZD (Fang, Zhidan);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Gong, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattice & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Atomic Hydrogen  Molecular Beam Epitaxy  Step Arrays  Molecular-beam Epitaxy  Atomic-hydrogen  Vicinal Surface  Quantum Dots  Growth  Temperature  Irradiation  Mechanism  Mbe  
Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Gong, M (Gong, Meng);  Fang, ZD (Fang, Zhidan);  Miao, ZH (Miao, Zhenhua);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Gong, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Surface Morphology Evolution  Inas Nanostructures  Island-pit Pairs  Molecular-beam Epitaxy  Quantum Dots  Cooperative Nucleation  Heteroepitaxy  Transition  Islands  Growth  
Tuning of emission wavelength of InAs/GaAs quantum dots sandwiched by combination layers 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Fang, ZD (Fang, Zhidan);  Gong, M (Gong, Meng);  Miao, ZH (Miao, Zhenhua);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Fang, ZD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Quantum Dots  Photoluminescence  Combination Layer  1.3 Mu-m  Lasers  Inalas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong LM (Kong Lingmin);  Cai JF (Cai Jiafa);  Wu ZY (Wu Zhengyun);  Gong Z (Gong Zheng);  Fang ZD (Fang Zhidan);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Wu, ZY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: konglm0592@yahoo.com;  zhywu@xmu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩勤;  彭红玲;  杜云;  倪海桥;  赵欢;  牛智川;  吴荣汉
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