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| 半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 赵玲慧; 曾一平; 李成基
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| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
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| 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波 ; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈涌海; 叶小玲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 徐波; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵雷; 陈涌海; 左玉华; 王海宁; 时文华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 陈涌海; 姚江宏; 舒强; 刘如彬; 舒永春; 王占国; 许京军
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