SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究
张冠杰; 陈涌海; 姚江宏; 舒强; 刘如彬; 舒永春; 王占国; 许京军
2006
Source Publication激光与光电子学进展
Volume43Issue:4Pages:68-72
Abstract对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AnD对量子点形貌观察的结果,分析了InAlAs量子点生长过程中尺寸、密度和均匀性的改变,并研究了三维岛的结构对拉曼谱线的影响。对InAlAs淀积厚度不同样品的拉曼谱分析表明,岛状结构的尺寸横纵比与类GaAsLO模和类AlAs LO模的半高全宽有密切关系。不同偏振下的拉曼实验证实了该结构中的光学声子在Z(X,X)Z偏振条件下为非拉曼活性。
metadata_83天津市南开大学;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2357390
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16665
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张冠杰,陈涌海,姚江宏,等. InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究[J]. 激光与光电子学进展,2006,43(4):68-72.
APA 张冠杰.,陈涌海.,姚江宏.,舒强.,刘如彬.,...&许京军.(2006).InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究.激光与光电子学进展,43(4),68-72.
MLA 张冠杰,et al."InAlAs量子点材料的AFM和拉曼散射研究".激光与光电子学进展 43.4(2006):68-72.
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