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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
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利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  冯向旭;  张宁;  刘乃鑫;  付丙磊;  朱绍歆;  张连;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
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利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人:  杜成孝;  董鹏;  郑海洋;  魏同波;  严清峰;  吴奎;  张逸韵;  王军喜;  李晋闽
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转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  纪攀峰;  谢海忠;  郭恩卿;  马平;  张韵;  王军喜;  李晋闽
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倒装结构的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  纪攀峰;  谢海忠;  梁萌;  马平;  张韵;  王军喜;  李晋闽
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