SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共22条,第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1896/355  |  提交时间:2012/09/09
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1883/350  |  提交时间:2012/09/09
可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人:  张连;  曾建平;  魏同波;  闫建昌;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:710/91  |  提交时间:2014/11/17
芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  谢海忠;  张连;  宋昌斌;  姚然;  薛斌;  杨华;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:788/104  |  提交时间:2014/11/05
生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:  羊建坤;  魏同波;  霍自强;  张勇辉;  胡强;  段瑞飞;  王军喜
Adobe PDF(1673Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:792/50  |  提交时间:2014/10/31
侧面粗化的发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  谢海忠;  张逸韵;  王兵;  杨华;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:603/76  |  提交时间:2014/10/31
具有空气桥结构发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:  吴奎;  魏同波;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  张逸韵;  李璟;  李晋闽
Adobe PDF(1006Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:621/78  |  提交时间:2014/10/28
基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  吴奎;  魏同波;  蓝鼎;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  张逸韵;  李晋闽
Adobe PDF(530Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:617/83  |  提交时间:2014/10/28
蓝宝石纳米碗阵列图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26
发明人:  吴奎;  魏同波;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  张逸韵;  李璟;  李晋闽
Adobe PDF(1041Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:670/74  |  提交时间:2014/10/28
纳米柱发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  吴奎;  魏同波;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  张逸韵;  李璟;  李晋闽
Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:660/107  |  提交时间:2014/10/28