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| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张宇 ; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠
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| 利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079801.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋国峰; 张宇; 汪卫敏; 陈熙
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| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰
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| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川
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| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种集成半导体激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨成奥; 张宇; 廖永平; 徐应强; 牛智川
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| 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 张立春; 王国伟; 张宇; 徐应强; 倪海桥; 牛智川
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| 一种半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨成奥; 张宇; 廖永平; 魏思航; 徐应强; 牛智川
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