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| 10-14微米同时响应的双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171382.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘小宇; 马文全 ; 张艳华; 种明
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| 一种制备半导体固态白光光源的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226287.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 徐云; 陈良惠; 宋国峰; 李玉璋; 王玉平
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| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张宇; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠
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| 一种制备微小化固态白光光源的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226286.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 徐云; 陈良惠; 胡海峰; 宋国峰; 李玉璋; 王玉平
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| 利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079801.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋国峰; 张宇; 汪卫敏; 陈熙
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| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰
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| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲
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| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲
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| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华
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