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| 电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉 ; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 减小温度梯度的激光晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人: 李晋闽; 林学春; 熊 波; 侯 玮; 郭 林; 赵鹏飞; 韩泽华; 李瑞贤
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| 碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 赵永梅; 宁 瑾; 孙国胜; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 王 亮; 王 雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鵫; 吴远大; 李建光; 王红杰; 安俊明; 胡雄伟
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 降低磷离子注入（0001）取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 王雷; 赵万顺
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