SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共75条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, JH (Zhu, J. H.);  Wang, LJ (Wang, L. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Wang, H (Wang, H.);  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Qiu, YX (Qiu, Y. X.);  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(829Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1227/312  |  提交时间:2010/03/08
1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  赵欢
Adobe PDF(3202Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1354/73  |  提交时间:2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张爽;  赵德刚;  刘宗顺;  朱建军;  张书明;  王玉田;  段俐宏;  刘文宝;  江德生;  杨辉
Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/328  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张立群;  张书明;  江德生;  朱建军;  赵德刚;  杨辉
Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1255/463  |  提交时间:2010/11/23
提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  朱建军;  杨辉;  梁骏吾
Adobe PDF(215Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/204  |  提交时间:2009/06/11
一种测量小光斑尺寸的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉
Adobe PDF(674Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1019/159  |  提交时间:2009/06/11
提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1113/183  |  提交时间:2009/06/11
提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉;  梁骏吾;  李向阳;  龚海梅
Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1184/179  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王柱;  柯君玉;  李辉;  庞锦标;  戴益群;  赵有文
Adobe PDF(299Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:762/233  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋海明;  韩海;  赵柏秦;  郑一阳
Adobe PDF(824Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:783/235  |  提交时间:2010/11/23