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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李彦波 ; 刘超; 张杨; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li YB; Zhang Y; Zeng YP; Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. terahertzantenna@163.com; ypzeng@semi.ac.cn
Adobe PDF(1227Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1544/463 | 提交时间：2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李彦波; 刘超; 张杨; 赵杰; 曾一平
Adobe PDF(942Kb) | 收藏 | 浏览/下载：2005/346 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Y; Zeng YP; Zhang Y Beijing Technol & Business Univ Internship Ctr Business & Law Beijing 102488 Peoples R China. E-mail Address: RTDHEMT@hotmail.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 张杨; 戴扬; 杨富华; 曾一平; 王良臣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Y; Zeng YP; Ma L; Wang BQ; Zhu ZP; Wang LC; Yang FH; Zhang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(307Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1317/245 | 提交时间：2010/04/11 |
| 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236705.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李彦波; 张杨; 曾一平
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