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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Q; Wang XQ; He XW; Yin CM; Xu FJ; Shen B; Chen YH; Wang ZG; Ishitani Y; Yoshikawa A; Zhang Q Peking Univ Sch Phys State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: wangshi@pku.edu.cn; bshen@pku.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang CG; Chen YH; Xu B ; Ye XL; Wang ZG; Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Dou XM; Sun BQ; Xiong YH; Niu ZC; Ni HQ; Xu ZY; Dou XM CAS SKLSM Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: bqsun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang PF; Xiong YH; Wang HL; Huang SS; Ni HQ; Xu YQ; He ZH; Niu ZC; Wang PF Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattice & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: pfwang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu BP; Wu DH; Xiong YH; Huang SS; Ni HQ; Xu YQ; Niu ZC; Wu BP Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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| Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者: Zhao C; Chen YH; Xu B; Tang CG; Wang ZG; Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy |
| 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王志成; 徐波; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 石礼伟; 梁凌燕
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| GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 梁凌燕; 叶小玲; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| 一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 焦玉恒; 吴巨; 徐波; 金鹏; 王占国
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