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GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Tang CG;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王淑静;  裴为华;  张旭;  郭凯;  朱琳;  归强;  王宇;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  沈海波;  郭亨群;  王国立;  王加贤;  吴志军;  宋江婷;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋江婷;  郭亨群;  王加贤;  吴志军;  王国立;  沈海波;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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