SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性
沈海波; 郭亨群; 王国立; 王加贤; 吴志军; 宋江婷; 徐骏; 陈坤基; 王启明
2009
Source Publication半导体光电
Volume30Issue:6Pages:878-882
Abstract采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了nc-Si/SiN_x多量子阱材料.对样品进行了小角度XRD、Raman光谱、吸收光谱测试,研究了其结构和光学性质.采用皮秒脉冲激光单光束Z-扫描技术研究了样品在非共振吸收区的三阶非线性光学特性.实验结果表明,其非线性折射率为负值,非线性吸收属于双光子吸收.由实验数据计算得材料三阶非线性极化率为7.50×10~(-8)esu,该值比体硅材料的三阶非线性极化率大4个数量级.对材料光学非线性产生的机理进行了探讨,认为材料的非线性极化率的增加来源于材料量子限制效应增强.
metadata_83华侨大学,信息科学与工程学院;南京大学,物理学系;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金,国家"973"计划项目,集成光电子国家联合重点实验室开放课题,国家自然科学基金重点项目,华侨大学科研基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3792832
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15621
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
沈海波,郭亨群,王国立,等. Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性[J]. 半导体光电,2009,30(6):878-882.
APA 沈海波.,郭亨群.,王国立.,王加贤.,吴志军.,...&王启明.(2009).Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性.半导体光电,30(6),878-882.
MLA 沈海波,et al."Z扫描法研究nc-Si/SiN_x多量子阱材料非线性光学特性".半导体光电 30.6(2009):878-882.
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