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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏 ; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄秀颀; 刘峰奇
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| 多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 路秀真
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| 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 王占国
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| 一种半导体的掺杂技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1991-11-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李秀琼; 王培大; 马祥彬; 孙惠玲; 王纯
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| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华
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| 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华
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| 利用相对易腐蚀的金属制备另一种金属图形的剥离方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨健; 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 梁秀琴
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| 在衬底上制备多级台阶的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 杨健; 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 赵永梅; 梁秀琴; 王晓东; 杨富华
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