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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. F. Liu;  z G. G. Yan;  Z. W. Shen;  Z. X.Wen;  L. X. Tian;  W. S. Zhao;  L. Wang;  M. Guan;  F. Zhang;  G. S. Sun;  Y. P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SG (Zhang S. G.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Wang JX (Wang J. X.);  Dong JJ (Dong J. J.);  Gao HL (Gao H. L.);  Si FT (Si F. T.);  Sun SS (Sun S. S.);  Tao Y (Tao Y.)
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一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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