中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1249/190  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1263/150  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1138/168  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, ZQ;  Xu, YQ;  Hao, RT;  Tang, B;  Ren, ZW;  Niu, ZC;  Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1093/296  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙彦;  彭红玲;  任正伟;  贺振宏
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1031/340  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智红;  任正伟;  贺振宏
Adobe PDF(430Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1290/411  |  提交时间：2010/11/23