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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Y.Q.;  Wang, X.D.;  Xu, X.N.;  Liu, W.;  Yang, F.H.;  Zeng, Y.P.;  Wang, X.D.(xdwang@semi.ac.cn)
Adobe PDF(610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1267/324  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, Y.D.;  Cao, H.Z.;  Yan, W.;  Han, W.H.;  Liu, Y.;  Dong, X.Z.;  Zhang, Y.B.;  Jin, F.;  Zhao, Z.S.;  Yang, F.H.;  Duan, X.M.;  Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
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硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:  韩伟华;  王昊;  马刘红;  洪文婷;  杨晓光;  杨涛;  杨富华
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一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人:  杨添舒;  刘雯;  时彦朋;  马静;  张端;  郑婉华;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(1332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：832/66  |  提交时间：2014/12/25
半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  时彦朋;  王晓东;  刘雯;  杨添舒;  马静;  杨富华
Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：909/116  |  提交时间：2014/11/24
具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人:  杨添舒;  刘雯;  时彦朋;  马静;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(721Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：886/102  |  提交时间：2014/12/25
半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  时彦朋;  王晓东;  刘雯;  杨添舒;  杨富华
Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：899/105  |  提交时间：2014/11/24
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
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