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150lm/W 的 GaN 基 LED 量子效率提升研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  李鸿渐
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Z;  Kang, JJ;  Wang, BW;  Li, HJ;  Weng, YH;  Lee, YC;  Liu, ZQ;  Yi, XY;  Feng, ZC;  Wang, GH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han ZH;  Lin XC;  Hou W;  Yu HJ;  Zhou SZ;  Li JM;  Han, ZH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, A35 QingHua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China, zhhan@semi.ac.cn
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一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
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在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：743/115  |  提交时间：2014/10/31
氮化物LED外延结构的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人:  梁萌;  李鸿渐;  姚然;  李志聪;  李盼盼;  王兵;  李璟;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：682/114  |  提交时间：2014/10/31
一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-15
发明人:  李盼盼;  李鸿渐;  张逸韵;  李志聪;  梁萌;  李璟;  王国宏
Adobe PDF(565Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：578/75  |  提交时间：2014/10/29