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| 基于单块周期极化晶体输出双波长激光和太赫兹波的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010257017.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 熊波; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 张玲; 孙陆
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平
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| 碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北
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| 一种碳化硅薄膜生长设备及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅薄膜生长设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 董林; 郑柳; 闫果果; 张峰; 王雷; 孙国胜; 曾一平
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| 一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平
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| 一种半导体薄膜生长设备 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-09
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平
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| 4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
发明人: 刘斌; 孙国胜; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 刘胜北; 张峰; 赵万顺; 王雷; 曾一平
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