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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 广谱高吸收的太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 刘孔; 曲胜春; 谭付瑞; 唐爱伟; 金兰; 张君梦; 徐文清
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| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 刘娜; 孙雪娇; 孔庆峰; 梁萌; 王莉; 魏同波; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 提高光提取效率发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 刘娜; 孙雪娇; 孔庆峰; 梁萌; 王莉; 魏同波; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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