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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李帅; 吴远大; 尹小杰 ; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng YS (Peng Yin-Sheng); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Xu B (Xu Bo); Niu JB (Niu Jie-Bin); Jia R (Jia Rui); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Liang S (Liang Song); Yang XH (Yang Xiao-Hong); Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 解意洋; 徐晨; 阚强; 王春霞; 王宝强; 刘英明; 陈弘达; 沈光地
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴远大; 安俊明; 王王月; 尹小杰; 张家顺; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李俊一; 安俊明; 吴远大; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李俊一; 安俊明; 吴远大; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴远大; 安俊明; 李建光; 王玥; 尹小杰; 张家顺; 王红杰; 胡雄伟
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| 紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鵫; 吴远大; 李建光; 王红杰; 安俊明; 胡雄伟
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| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
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