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无权访问的条目 期刊论文
作者:  G.G. Yan;   Y.W. He;   Z.W. Shen;   Y.X. Cui;   J.T. Li;   W.S. Zhao;   L. Wang;   X.F. Liu;   F. Zhang;   G.S. Sun;   Y.P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  G.G. Yan ;   X.F. Liu ;   Z.W. Shen ;   W.S. Zhao ;   L. Wang ;   Y.X. Cui ;   J.T. Li ;   F. Zhang ;   G.S. Sun ;   Y.P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  L.J. Cui;  Y.P.Zeng;  Y.Zhang;  W.Z.Zhou;  L.Y.Shang;  T.Lin;  J.H.Chu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, W.Z;  Wang, W;  Chang, Z.G;  Wang, Y.Z;  Lan, Z.Q;  Shang, L.Y;  Lin, T;  Cui, L.J;  Zeng, Y.P;  Li, G.X;  Yu, C.H;  Guo, J;  Chu, J.H
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB (You J. B.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Zhang SG (Zhang S. G.);  Wang JX (Wang J. X.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Tan HR (Tan H. R.);  Zhang WJ (Zhang W. J.);  Chu PK (Chu P. K.);  Cui B (Cui B.);  Wowchak AM (Wowchak A. M.);  Dabiran AM (Dabiran A. M.);  Chow PP (Chow P. P.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn;  paul.chu@cityu.edu.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Zhang Z;  Zhang R;  Fu DY;  Xie ZL;  Lu H;  Schaff WJ;  Song LH;  Cui YC;  Hua XM;  Han P;  Zheng YD;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang, R, Nanjing Univ, Dept Phys, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing Natl Lab Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:627/87  |  提交时间:2014/12/25