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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: G.G. Yan; Y.W. He; Z.W. Shen; Y.X. Cui; J.T. Li; W.S. Zhao; L. Wang; X.F. Liu; F. Zhang; G.S. Sun; Y.P. Zeng Adobe PDF(1992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2021/11/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; Y.X. Cui ; J.T. Li ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng Adobe PDF(1446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2020/07/31 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: L.J. Cui; Y.P.Zeng; Y.Zhang; W.Z.Zhou; L.Y.Shang; T.Lin; J.H.Chu Adobe PDF(1193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:271/1  |  提交时间:2017/03/10 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhou, W.Z; Wang, W; Chang, Z.G; Wang, Y.Z; Lan, Z.Q; Shang, L.Y; Lin, T; Cui, L.J; Zeng, Y.P; Li, G.X; Yu, C.H; Guo, J; Chu, J.H Adobe PDF(915Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:824/214  |  提交时间:2013/05/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: You JB (You J. B.); Zhang XW (Zhang X. W.); Zhang SG (Zhang S. G.); Wang JX (Wang J. X.); Yin ZG (Yin Z. G.); Tan HR (Tan H. R.); Zhang WJ (Zhang W. J.); Chu PK (Chu P. K.); Cui B (Cui B.); Wowchak AM (Wowchak A. M.); Dabiran AM (Dabiran A. M.); Chow PP (Chow P. P.); Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn; paul.chu@cityu.edu.hk Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1391/453  |  提交时间:2010/06/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu B; Zhang Z; Zhang R; Fu DY; Xie ZL; Lu H; Schaff WJ; Song LH; Cui YC; Hua XM; Han P; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG; Zhang, R, Nanjing Univ, Dept Phys, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing Natl Lab Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1437/336  |  提交时间:2010/04/28 |
| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/80  |  提交时间:2014/12/25 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:705/98  |  提交时间:2014/10/31 |
| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13 发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:748/94  |  提交时间:2014/10/24 |
| 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29 发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:627/87  |  提交时间:2014/12/25 |