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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning Zhang;  Xue-Cheng Wei;  Kun-Yi Lu;  Liang-Sen Feng;  Jie Yang;  Bin Xue;  Zhe Liu;  Jin-Min Li and Jun-Xi Wang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张连;  魏学成;  路坤熠;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhi-Guo Yu;  Li-Xia Zhao;  Shi-Chao Zhu;  Xue-Cheng Wei;  Xue-Jiao Sun;  Lei Liu;  Jun-Xi Wang;  Jin-Min Li
Adobe PDF(1307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:285/4  |  提交时间:2016/04/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, Zhi-Guo;  Zhao, Li-Xia;  Wei, Xue-Cheng;  Lu, Hong-Xi;  Wang, Jun-Xi;  Zeng, Yi-Ping;  Li, Jin-Min;  Sun, Xue-Jiao;  An, Ping-Bo;  Zhu, Shi-Chao;  Liu, Lei;  Tian, Li-Xin;  Zhang, Feng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  ZHANG Ning, LIU Zhe, SI Zhao, REN Peng, WANG Xiao-Dong, FENG Xiang-Xu, DONG Peng, DU Cheng-Xiao, ZHU Shao-Xin, FU Bing-Lei, LU Hong-Xi, LI Jin-Min, WANG Jun-Xi
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提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185056A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  马平;  王军喜;  魏学成;  曾一平;  李晋闽
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栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  张宁;  魏学成;  刘桂鹏;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人:  于治国;  赵丽霞;  魏学成;  王军喜;  李晋闽
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