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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, JM;  Xu, FJ;  Zhang, X;  An, W;  Li, XZ;  Song, J;  Ge, WK;  Tian, GS;  Lu, J;  Wang, XQ;  Tang, N;  Yang, ZJ;  Li, W;  Wang, WY;  Jin, P;  Chen, YH;  Shen, B
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong JJ (Dong J. J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  You JB (You J. B.);  Cai PF (Cai P. F.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  An Q (An Q.);  Ma XB (Ma X. B.);  Jin P (Jin P.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘扬;  潘教青;  王宝军;  边静;  安欣;  赵玲娟
Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1112/284  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王振华;  杨安丽;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(733Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1175/259  |  提交时间：2011/08/16
掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  梁松;  边静;  安心;  王伟;  周代兵
Adobe PDF(239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1306/255  |  提交时间：2011/08/31
光栅耦合表面发射的超辐射发光二极管结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236703.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  安琪;  金鹏;  王占国
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生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王振华;  刘祥林;  杨少延;  杨安丽
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异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  陈娓兮;  梁松;  边静;  安心;  王伟
Adobe PDF(273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1302/246  |  提交时间：2011/08/31