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| 采用氢致自催化法生长含铟氮化物纳米材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 康亭亭; 刘祥林
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| 一种高质量InN薄膜的获取方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张日清; 康亭亭; 刘祥林
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| 一种高效率深紫外发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 康亭亭; 刘祥林
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| 一种近场光学增强型可见光探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 康亭亭; 刘祥林
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| 氮化铟纳米结构的生长与低维结构中集体激发的理论研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者: 康亭亭
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡卫国; 魏鸿源 ; 焦春美; 康亭亭; 张日清; 刘祥林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 魏宏远; 康亭亭; 王晓晖; 刘祥林; 王占国
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