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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
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| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
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| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华
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| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华
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| 纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 陈燕坤; 韩伟华; 洪文婷; 杨富华
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| 一种无结晶体管的电阻测试方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 王昊; 韩伟华; 马刘红; 杨富华
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| 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人: 李小明; 韩伟华; 张严波; 颜伟; 杜彦东; 陈燕坤; 杨富华
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| 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 韩伟华; 王昊; 马刘红; 洪文婷; 杨晓光; 杨涛; 杨富华
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