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| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 周旭亮; 于红艳; 米俊萍; 潘教青; 王圩
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 周旭亮; 于红艳; 潘教青; 赵玲娟; 王圩
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