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| 高重频窄脉冲半导体锁模激光器研制 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 刘宇翔
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu, Shi-Yong; Zeng, Xiang-Bo; Peng, Wen-Bo; Yao, Wen-Jie; Xie, Xiao-Bing; Yang, Ping; Wang, Chao; Wang, Zhan-Guo; Zeng, X.-B.(xbzeng@semi.ac.cn)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 姚文杰; 谢小兵; 杨萍; 王超; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖海波; 曾湘波; 刘石勇; 彭文博; 石明吉; 张长沙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖虎; 孟宪权; 朱振华; 金鹏; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘扬; 潘教青; 王宝军; 边静; 安欣; 赵玲娟
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| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁
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| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 肖海波; 姚文杰; 谢小兵; 王超; 王占国
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