SEMI OpenIR  > 中科院半导体材料科学重点实验室
双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池
刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 姚文杰; 谢小兵; 杨萍; 王超; 王占国
2011
Source Publication材料工程
VolumexxIssue:8Pages:5-7,13
Abstract采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3~5nm。对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究。结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加。提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%。
metadata_83中科院半导体材料科学重点实验室
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目,中国科学院知识创新工程重要方向资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:4281889
Date Available2012-07-17
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23296
Collection中科院半导体材料科学重点实验室
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GB/T 7714
刘石勇,曾湘波,彭文博,等. 双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池[J]. 材料工程,2011,xx(8):5-7,13.
APA 刘石勇.,曾湘波.,彭文博.,姚文杰.,谢小兵.,...&王占国.(2011).双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池.材料工程,xx(8),5-7,13.
MLA 刘石勇,et al."双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池".材料工程 xx.8(2011):5-7,13.
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