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| 基于GaAs(001)衬底的CdTe缓冲层和HgTe多层膜的分子束外延生长及其运输行为 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 余之峰 Adobe PDF(2817Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:310/3  |  提交时间:2021/11/30 |
| 垂直易磁化偏学计量比Co2MnAl薄膜磁性及输运行为 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 余之峰 Adobe PDF(4884Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:504/6  |  提交时间:2019/11/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 付秋瑜; 林清宇; 张万成; 吴南健 Adobe PDF(1383Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1463/666  |  提交时间:2012/07/17 |
| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29 发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1482/245  |  提交时间:2012/08/29 |
| 面向实时视觉芯片的高速行并行图像传感器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102131059A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-07-20, 2012-08-29 发明人: 付秋瑜; 吴南健; 林清宇; 张万成 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1491/274  |  提交时间:2012/08/29 |