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窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  赵玲娟;  王圩
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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨华;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩
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一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵谦;  潘教清;  周帆;  王宝军;  王圩
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基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  潘教清;  赵谦;  王圩
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波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张靖;  赵玲娟;  王圩
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一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  曾一平;  李晋闽
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