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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨志超;  周盛华;  吴南健;  李美云
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HL (Peng Hong-Ling);  Han, Q (Han Qin);  Yang, XH (Yang Xiao-Hong);  Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan);  Peng, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn;  ji_ym@mail.sic.ac.cn;  zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, H (Zhao, H.);  Xu, YQ (Xu, Y. Q.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Han, Q (Han, Q.);  Du, Y (Du, Y.);  Yang, XH (Yang, X. H.);  Wu, RH (Wu, R. H.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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