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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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文献类型:会议论文
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z
会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:
Sun, Z (Sun, Z.)
;
Xu, ZY (Xu, Z. Y.)
;
Yang, XD (Yang, X. D.)
;
Sun, BQ (Sun, B. Q.)
;
Ji, Y (Ji, Y.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gainnas/gaas Quantum Wells
Optical Properties
Nonradiative Recombination Effect
Time-resolved Photoluminescence
Pl Decay Dynamics
Pl Thermal Quenching
Molecular-beam Epitaxy
Gaasn Alloys
Excitation
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
;
Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Czochralski Method
Growth From Melt
Semiconductor Silicon
Argon Gas Flow
Computer Simulation
Oxygen Content
Furnace Pressure
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical-transitions
Photoluminescence