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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [10]
作者
朱建军 [1]
文献类型
期刊论文 [7]
会议论文 [3]
发表日期
2007 [10]
语种
英语 [9]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
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发表日期:2007
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期刊论文
作者:
Wang, XL (Wang, X. L.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, K (Ploog, K.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: WXL@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxy
4h-sic
Multi-epilayer
Uv Detection
p(+)-pi-n(-)
Ultraviolet Photodetector
Epitaxial-growth
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Avalanche Photodiodes
Area
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期刊论文
作者:
Wei, HY (Wei, H. Y.)
;
Cong, GW (Cong, G. W.)
;
Zhang, PF (Zhang, P. F.)
;
Hu, WG (Hu, W. G.)
;
Wu, JJ (Wu, J. J.)
;
Jiao, CM (Jiao, C. M.)
;
Liu, XL (Liu, X. L.)
;
Zhu, QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang, ZG (Wang, Z. G.)
;
Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, JY (Peng, J. Y.)
;
Wang, BS (Wang, B. S.)
;
Wang, YG (Wang, Y. G.)
;
Miao, JG (Miao, J. G.)
;
Hao, EJ (Hao, E. J.)
;
Tan, HM (Tan, H. M.)
;
Qian, LS (Qian, L. S.)
;
Ma, XY (Ma, X. Y.)
;
Peng, JY, Chinese Acad Sci, Changchun Inst Opt Fine Mech & Phys, Changchun 130022, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyingpeng111@163.com
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Wang, F (Wang, Fei)
;
Li, SS (Li, Shu-Shen)
;
Xia, JB (Xia, Jian-Bai)
;
Jiang, HX (Jiang, H. X.)
;
Lin, JY (Lin, J. Y.)
;
Li, J (Li, Jingbo)
;
Wei, SH (Wei, Su-Huai)
;
Wang, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: suhuai_wei@nrel.gov
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Wu, J (Wu, J.)
;
Jin, P (Jin, P.)
;
Jiao, YH (Jiao, Y. H.)
;
Lv, XJ (Lv, X. J.)
;
Wang, ZG (Wang, Z. G.)
;
Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Tan, PH (Tan, P. H.)
;
Zhang, J (Zhang, J.)
;
Wang, XC (Wang, X. C.)
;
Zhang, GY (Zhang, G. Y.)
;
Wang, EG (Wang, E. G.)
;
Tan, PH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pt290@eng.cam.ac.uk
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
孙佳胤
;
陈静
;
王曦
;
王建峰
;
刘卫
;
朱建军
;
杨辉
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提交时间:2010/11/23