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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  梁平;  陆大成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiao YH (Jiao Y. H.);  Wu J (Wu J.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Hu LJ (Hu L. J.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Ren YY (Ren Y. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiao YH (Jiao Y. H.);  Wu J (Wu J.);  Xu B (Xu B.);  Jin P (Jin P.);  Hu LJ (Hu L. J.);  Liang LY (Liang L. Y.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiaoyuheng@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang BQ (Wang B. Q.);  Zhu ZP (Zhu Z. P.);  Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Wang BQ (Wang B. Q.);  Zhu ZP (Zhu Z. P.);  Guo SL (Guo S. L.);  Chu JH (Chu J. H.);  Cui, LJ, Chinese Acad Sci, Novel Mat Lab, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ljcui@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XR (Yang X. R.);  Xu B (Xu B.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Jin P (Jin P.);  Liang P (Liang P.);  Hu Y (Hu Y.);  Sun H (Sun H.);  Chen YH (Chen Y. H.);  Liu FL (Liu F. L.);  Yang, XR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yangxr@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, HP (Huang, H. P.);  Zhu, NH (Zhu, N. H.);  Hasen, QQG (Hasen, Q. Q. G.);  Liu, Y (Liu, Y.);  Wang, X (Wang, X.);  Pun, EYB (Pun, E. Y. B.);  Chung, PS (Chung, P. S.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS (Sun G. S.);  Liu XF (Liu X. F.);  Gong QC (Gong Q. C.);  Wang L (Wang L.);  Zhao WS (Zhao W. S.);  Li JY (Li J. Y.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Li JM (Li J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: gshsun@red.semi.ac.cn
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Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, G. S.);  Liu, XF (Liu, X. F.);  Gong, QC (Gong, Q. C.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Li, JM (Li, J. M.);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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