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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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收录类别:CPCI\-S
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A V-shaped module technique for promoting generation photocurrent density of silicon solar cells
会议论文
FIFTH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAY 31-JUN 02, 2004
作者:
Li, JM
;
Chong, M
;
Duan, XF
;
Xu, JD
;
Gao, M
;
Wang, FL
;
Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Silicon
Solar Cells
V-shaped Structure
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Li DB
;
Dong X
;
Huang JS
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Li DB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Multiple-quantum Wells
Quaternary Alloys
Optical-properties
Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes
会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:
Zhang ZY
;
Li CM
;
Jin P
;
Meng XQ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1417/302
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提交时间:2010/10/29
Spectrum
Architecture research and hardware implementation on simplified neural computing system for face identification
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL JOINT CONFERENCE ON NEURAL NETWORKS 2003, VOLS 1-4, PORTLAND, OR, JUL 20-24, 2003
作者:
Xu J
;
Li WJ
;
Qu YF
;
Qin H
;
Wang SJ
;
Xu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Artificial Neural Networks Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:
Li Q
;
Fang ZL
;
Xu SJ
;
Li GH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Zhang XH
;
Liu W
;
Chua SJ
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Piezoelectric Field
Photoluminescence
Temperature
Selective intermixing of Ga(In)NAs/GaAs quantum well structures usingSiO(2) encapsulation and rapid thermal annealing
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Xu YQ
;
Li LH
;
Pan Z
;
Lin YW
;
Wang QM
;
Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Mu-m
1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum well lasers and photodetectors
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Zhong P
;
Lin YW
;
Li LH
;
Xu YQ
;
Wei Z
;
Wu RH
;
Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Operation
Photoluminescence from carbon nanotubes
会议论文
PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II, 87, OSAKA, JAPAN, SEP 17-22, 2000
作者:
Han HX
;
Li GH
;
Ge WK
;
Wang ZP
;
Xu ZY
;
Xie SS
;
Chang BH
;
Sun LF
;
Wang BS
;
Xu G
;
Su ZB
;
Han HX Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:896/0
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提交时间:2010/10/29
Electronic-structure
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Adsorption
Characterization
Radiation
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Surface-emitting Laser
Quantum-wells
Operation
Range
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical-transitions
Photoluminescence