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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊
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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
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| 单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 刘 磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张 汉; 吴金良; 高福宝
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang B; Chen J; Wang X; Wu AM; Luo JX; Zhang MA; Wu YX; Zhu JJ; Yang H; Zhang B Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat Shanghai 200050 Peoples R China. E-mail Address: bozhang@mail.sim.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF; Chen SY Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Fujain Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Q; Wang XQ; He XW; Yin CM; Xu FJ; Shen B; Chen YH; Wang ZG; Ishitani Y; Yoshikawa A; Zhang Q Peking Univ Sch Phys State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: wangshi@pku.edu.cn; bshen@pku.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B; Li M; Fu DY; Fang HN; Xiu XQ; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Tang CG; Wang ZG; Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF; Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang CG; Chen YH; Xu B; Ye XL; Wang ZG; Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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| Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者: Zhao C; Chen YH; Xu B; Tang CG; Wang ZG; Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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