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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Li GQ;  Wang YJ;  Zhao Y;  Chen GH;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Yang H;  Yu DP;  Wang JN;  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Joint Lab New Mat, CAS, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: sjxu@hkucc.hku.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang Y;  Xu YH;  Zhao DG;  Fang, JX;  Fang, JX, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, State Key Labs Transducer Technol, Yutian Rd 500, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxfang@mail.sitp.ac.cn
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Zhang SM;  Wu RH;  Jia QJ;  Zheng WL;  Jiang XM;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Zhao DG;  Li SF;  Zhuang SM;  Wu RH;  Chen Y;  Li GH;  Yang H,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐大鹏;  杨辉;  赵德刚;  郑联喜;  李建斌;  王玉田;  李顺峰;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵德刚;  杨辉;  徐大鹏;  李建斌;  王玉田;  郑联喜;  李顺峰;  王启明
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