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| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016 作者: 田丽欣 Adobe PDF(3926Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:899/33  |  提交时间:2016/12/05 |
| 锑化物高电子迁移率晶体管的材料与器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 李彦波 Adobe PDF(2537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1608/76  |  提交时间:2012/06/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun LL (Sun Lili); Liu C (Liu Chao); Li JM (Li Jianming); Wang JX (Wang Junxi); Yan FW (Yan Fawang); Zeng YP (Zeng Yiping); Li JM (Li Jinmin); Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn Adobe PDF(505Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1205/303  |  提交时间:2010/05/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1166/327  |  提交时间:2011/08/16 |
| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(406Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1717/292  |  提交时间:2011/08/31 |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2548/485  |  提交时间:2012/08/29 |
| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2523/513  |  提交时间:2012/08/29 |