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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来 ; 张建国; 左玉华; 王启明
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| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏
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| 利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张连; 丁凯; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 基于磁光光子晶体的4×4二进制发生器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 郑婉华; 江斌; 王宇飞; 张冶金; 冯志刚
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| 用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102142657A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 陈微; 周文君; 刘安金; 付非亚; 张建心; 渠红伟; 郑婉华
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| 垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163802A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张建心; 刘安金; 江斌; 付非亚; 渠红伟; 郑婉华
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| 集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102299483A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郑婉华; 陈微; 张建心; 渠红伟; 付非亚
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| 实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255240A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郑婉华; 陈微; 张建心; 渠红伟; 付非亚
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| 生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 羊建坤; 魏同波; 霍自强; 张勇辉; 胡强; 段瑞飞; 王军喜
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| 同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 周文飞; 徐波; 叶小玲; 张世著; 王占国
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