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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华 Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1196/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 王晓东 Adobe PDF(515Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1144/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1286/237  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种片上超低功耗的无线收发装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-17, 2013-04-17 发明人: 刘威扬; 吴南健; 王海永; 陈晶晶; 刘晓东 Adobe PDF(1002Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:668/74  |  提交时间:2014/10/24 |
| 一种面向无线传感网应用的低功耗射频收发装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13 发明人: 陈晶晶; 吴南健; 王海永; 刘威扬; 刘晓东 Adobe PDF(1041Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:711/88  |  提交时间:2014/10/24 |
| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华 Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1269/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1610/277  |  提交时间:2011/08/31 |
| 多标准性能可重构式I/Q正交载波发生器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02 发明人: 刘晓东; 吴南健; 王海永; 楼文峰; 陈晶晶; 张钊 Adobe PDF(888Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:515/1  |  提交时间:2016/09/02 |
| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07 发明人: 李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华 Adobe PDF(572Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1566/357  |  提交时间:2012/09/07 |