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| 电学测试的汞探针装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉 ; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉
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| 碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 赵永梅; 宁 瑾; 孙国胜; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 多晶立方相碳化硅微机电系统谐振器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 王 亮; 宁 瑾; 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 赵永梅; 刘兴昉
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| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平
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| 图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 王 亮; 王 雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Han W; Zhu NH; Xie L; Ren M; Sun K; Zhang BH; Li L; Zhang HG; Han W Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whan@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cheng BC; Tian BX; Sun W; Xiao YH; Lei SJ; Wang ZG; Cheng BC Nanchang Univ Inst Adv Studying Nanchang 330031 Peoples R China. E-mail Address: bcheng@vip.sina.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kong DH; Zhu HL; Liang S; Zhang HG; Sun Y; Wang H; Zhang W; Zhao LJ; Kong DH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kdh@semi.ac.cn; Liangsong@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cheng YB; Wang Y; Sun Y; Pan JQ; Bian J; An X; Zhao LJ; Wang W; Cheng YB Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn
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