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无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈盛;  张兴旺;  毛和璜;  余银祥;  韩增华;  汤叶华;  周春兰;  王文静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang ZC;  Huang AP;  Yan L;  Xiao ZS;  Zhang XW;  Chu PK;  Wang WW;  Huang AP Beihang Univ Dept Phys Beijing 100191 Peoples R China. E-mail Address: aphuang@buaa.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu L;  Chen NF;  Bai YM;  Cui M;  Zhang H;  Gao FB;  Yin ZG;  Zhang XW;  Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao FB;  Chen NF;  Zhang XW;  Wang Y;  Liu L;  Yin ZG;  Wu JL;  Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fbgao@semi.ac.cn
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Growth of GaSb and GaInAsSb layers for thermophotovolatic cells by liquid phase epitaxy - art. no. 68411E 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Liu L;  Chen NF;  Gao FB;  Yin ZG;  Bai YM;  Zhang XW;  Liu, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Thermophotovoltaic Cell  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨霏;  陈诺夫;  张兴旺;  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  侯哲哲;  马辉;  尹志刚
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背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175445.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  张兴旺;  朱小宁;  刘德伟;  马丽;  黄永光
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提高聚合物太阳电池效率的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010554257.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  谭海仁;  张兴旺;  高红丽;  白一鸣;  张秀兰;  尹志岗
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一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113745.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  朱洪亮;  朱小宁;  梁松;  张兴旺;  刘德伟;  王圩
Adobe PDF(466Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1373/208  |  提交时间:2011/08/31